生长基于Axitron MOCVD系统开发的III-V族化合物半导体光电子器件外延片，可定制GaAs和InP衬底多层化合物外延生长，覆盖Al-Ga-In-As-P组合的所有材料体系，实现由多量子阱、布拉格反射镜(DBR)、隧道结等构成的半导体激光器、超辐射二极管、垂直腔面发射激光器、半导体光放大器、光电探测器、光阴极材料等